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发布日期：2016-03-22 点击量：作者：编辑：来源：本站

报告人：卢励吾教授
时间：2016年3月24日星期四下午3点
地点：物理管一楼会议室103

报告摘要：运用光致发光和深能级瞬态谱技术表征半导体中深能级特性，报告详细介绍深能级瞬态谱的原理，测量方法和相关注意事项。着重介绍如何把光致发光和深能级瞬态谱技术相结合来表征半导体薄层结构，低维结构（量子阱，量子点）和相关器件中的杂质缺陷态深中心。

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